| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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MMFT2N02ELT1 |
TO-261-4，TO-261AA | ON Semiconductor | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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MMFT2N02ELT1参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 包装数量：10 包装形式： PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 800mA，5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：580pF @ 15V 功率 - 最大值：800mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeEEM06DTAN-S189 圆形MS3110E14-19S 嵌入式 - 微处理Z8401506FEC 逻辑 - 变换器ADG3233BRMZ PMIC - LELM3557SDX-2 逻辑 - 锁销CD4042BDRE4 电阻器网络，阵列766163184GP Card EdgeEMC10DREI 矩形 - 自由悬挂65350-005LF 晶体管(BJT) ZTX789ASTOA |
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